Вход
  • Добавить в избранное
    Для удаления товара из избранного, нажмите на ★ в правом углу
    Закрыть

SSD WD Black SN8100 2TB WDS200T1X0M-00CMT0

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14900/14000 МБайт/с, случайный доступ: 2400000/2300000 IOps, совместимость с PS5

Владелец торговой марки

Вестерн Диджитал Технолоджис, ИНК. 5601 Грэйт Оукс, Парквэй, Сан Хосе, Калифорния 95119, США.

Объём:
Все варианты:
WD Black SN8100 2TB WDS200T1X0M-00CMT0
–22%
Суперцена

Мы каждый день анализируем цены и помечаем все выгодные предложения за последние 60 дней

2165,00 ƃ
от 
1690
,00 ƃ
от 61,32 ƃ/мес частями

Подробную информацию о продавцах и ценах с оплатой частями смотрите на странице предложений продавцов с учетом условий доставки

Как только товар будет доступен по суперцене, вы получите:

письмо на почту и push-уведомление на телефон, но для этого вам необходимо войти в свой профиль

–22%
2165,00 ƃ
от 
1690
,00 ƃ
от 61,32 ƃ/мес частями
Характеристики

Общая информация

Дата выхода на рынок 2025 г.
Описание

✅Ключевые характеристики
Твердотельный накопитель формата M.2 2280 обеспечивает высочайшую производительность для ресурсоемких задач благодаря интерфейсу PCI Express 5.0 x4 и поддержке NVMe 2.0.

✅Преимущества и отличия
Применение энергоэффективной 3D TLC NAND позволяет добиться не только высокой скорости, но и надежности. Поддержка аппаратного шифрования AES 256bit обеспечивает дополнительную защиту данных без потери производительности.

✅Практичность
Совместимость с современными ноутбуками и настольными ПК через разъем M.2 (ключ M) делает накопитель универсальным решением для апгрейда или сборки системы. Встроенный DRAM-буфер способствует стабильной работе при длительных нагрузках. Низкопрофильная конструкция облегчает установку в компактных корпусах.

✅Уникальность
Использование новейшей технологии TLC 3D CBA NAND и поддержка новейших стандартов NVMe позволяют получить максимальную отдачу от PCIe Gen 5.0. Накопитель оптимизирован для работы с задачами искусственного интеллекта, профессиональным созданием контента и требовательными к скорости приложениями.

Основные

Объём 2 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 5.0 x4
Версия NVMe 2.0
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Silicon Motion SM2508
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 1200 TBW

Технические характеристики

DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 2048 МБ
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения 14 900 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 14 000 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 2 400 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 2 300 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 7 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.005 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 750 000 ч
Толщина 2.38 мм
Охлаждение
Подсветка
Совместимость с PS5

Комплектация

Тип поставки RTL (в коробке)
Заметили неточность в описании?
Рекомендуем купить
Очистить список сравнения