500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1450 МБайт/с, случайный доступ: 275000/300000 IOps
Характеристики
Общая информация
| |
Дата выхода на рынок | 2019 г. |
Основные
| |
Объём
| 500 ГБ |
Форм-фактор
| M.2 |
Интерфейс
| PCI Express 3.0 x2 |
Тип микросхем Flash
| 3D TLC NAND |
Размеры устройств M.2
| 2280 |
Ресурс записи
| 300 TBW |
Технические характеристики
| |
Аппаратное шифрование
| |
Скорость последовательного чтения
| 1 700 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи
| 1 450 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения
| 275 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи
| 300 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись)
| 0.075 Вт |
Энергопотребление (ожидание)
| 0.0025 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF)
| 1 750 000 ч |
Толщина
| 2.38 мм |
Охлаждение
|
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.