Вход
  • Добавить в избранное
    Для удаления товара из избранного, нажмите на ★ в правом углу
    Закрыть

SSD Hiksemi Wave Pro(P) 256GB HS-SSD-WAVE PRO(P) 256G

Hiksemi Wave Pro(P) 256GB HS-SSD-WAVE PRO(P) 256G
Нет отзывов Оставить отзыв

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3230/1250 МБайт/с, случайный доступ: 195000/210000 IOps

Владелец торговой марки
Объём:
Все варианты:
Hiksemi Wave Pro(P) 256GB HS-SSD-WAVE PRO(P) 256G
Нет в наличии и под заказ

Характеристики

Общая информация

Описание

❗️Текст описания составлен при помощи искусственного интеллекта.

✅ SSD Hiksemi Wave Pro(P) 256GB — это надежное решение для хранения данных, которое обеспечит высокую производительность и стабильность. С использованием передовых технологий 3D TLC NAND, этот накопитель гарантирует долговечность и эффективность.

✅ С максимальной скоростью последовательного чтения до 3 230 Мбайт/с, вы сможете быстро загружать операционные системы и приложения, а также передавать большие файлы за считанные секунды. Это идеальный выбор для геймеров и профессионалов, работающих с ресурсоемкими задачами.

✅ Благодаря форм-фактору M.2 2280, SSD легко устанавливается в современные ноутбуки и настольные ПК. Компактный размер позволяет экономить пространство внутри корпуса, не жертвуя производительностью.

⚠️ Не забывайте о важности охлаждения! Hiksemi Wave Pro(P) оснащен эффективной системой охлаждения с использованием алюминиевой пластины, что помогает поддерживать оптимальную температуру во время интенсивной работы.

✅ С объемом 256 ГБ, этот SSD идеально подходит для хранения операционной системы и основных приложений, обеспечивая быстрый доступ к вашим данным. Высокая скорость случайного чтения и записи (195 000 и 210 000 IOps соответственно) делает его отличным выбором для многозадачности.

✅ Выбирая SSD Hiksemi Wave Pro(P), вы получаете надежное и производительное устройство, которое станет отличным дополнением к вашему компьютеру.

Основные

Объём 256 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Размеры устройств M.2 2280

Технические характеристики

DRAM-буфер
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения 3 230 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 1 250 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 195 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 210 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 1.6 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Охлаждение
Тип охлаждения пластина
Подсветка
Совместимость с PS5

Комплектация

Тип поставки RTL (в коробке)
Заметили неточность в описании?
Очистить список сравнения