Вход
  • Добавить в избранное
    Для удаления товара из избранного, нажмите на ★ в правом углу
    Закрыть

SSD Hiksemi Wave Pro(P) 512GB HS-SSD-WAVE PRO(P) 512G

Hiksemi Wave Pro(P) 512GB HS-SSD-WAVE PRO(P) 512G
Нет отзывов Оставить отзыв

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/1800 МБайт/с, случайный доступ: 200000/155000 IOps

Владелец торговой марки
Объём:
Все варианты:
Hiksemi Wave Pro(P) 512GB HS-SSD-WAVE PRO(P) 512G

Характеристики

Общая информация
Описание

❗️Текст описания составлен при помощи искусственного интеллекта.

✅ SSD Hiksemi Wave Pro(P) 512GB — это идеальное решение для тех, кто ищет высокую производительность и надежность в одном устройстве. С его помощью вы сможете значительно ускорить загрузку операционной системы и приложений, а также повысить общую отзывчивость системы.

✅ Охлаждение этого SSD обеспечивается специальной пластиной, что позволяет поддерживать оптимальную температуру даже при интенсивной работе. Это особенно важно для пользователей, которые активно используют ресурсоемкие приложения или игры.

✅ С впечатляющей скоростью последовательного чтения до 3 500 Мбайт/с и записи до 1 800 Мбайт/с, этот SSD гарантирует молниеносный доступ к данным. Средняя скорость случайного чтения достигает 200 000 IOps, а записи — 155 000 IOps, что делает его отличным выбором для многозадачности и работы с большими объемами данных.

⚠️ Обратите внимание на форм-фактор M.2 2280, который позволяет легко установить SSD в большинстве современных материнских плат.

✅ Использование 3D TLC NAND технологий обеспечивает надежность и долговечность, а время наработки на отказ (МТBF) составляет целых 1 500 000 часов. Это значит, что вы можете быть уверены в стабильной работе вашего устройства на протяжении долгого времени.

✅ Выбирая SSD Hiksemi Wave Pro(P) 512GB, вы получаете не только высокую производительность, но и надежность, что делает его отличным выбором для вашего компьютера или ноутбука.

Основные
Объём
512 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Размеры устройств M.2
2280
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения
3 500 Мбайт/с
Скорость последовательной записи
1 800 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения
200 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
155 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)
3 Вт
Время наработки на отказ (МТBF)
1 500 000 ч
Охлаждение
Тип охлаждения пластина
Подсветка
Совместимость с PS5
Комплектация
Тип поставки
RTL (Retail)
Заметили неточность в описании?
Где допущена ошибка
Электронная почта
Очистить список сравнения
Вам показаны условия доставки
и оплаты в Минск