1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.1), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1900 МБайт/с, случайный доступ: 380000/360000 IOps, DRAM-буфер
Характеристики
Основные
| |
| Объём | 1 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.1) |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Samsung Polaris |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
Технические характеристики
| |
| DRAM-буфер | |
| Объем DRAM-буфера | 1024 МБ |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 3 200 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1 900 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 380 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 360 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 1.2 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.