1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.1), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1900 МБайт/с, случайный доступ: 380000/360000 IOps, DRAM-буфер
Характеристики
Основные
| |
|
Объём
| 1 ТБ |
|
Форм-фактор
| M.2 |
|
Интерфейс
| PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.1) |
|
Тип микросхем Flash
| 3D TLC NAND |
|
Контроллер
| Samsung Polaris |
|
Размеры устройств M.2
| 2280 |
Технические характеристики
| |
|
DRAM-буфер
| |
| Объем DRAM-буфера | 1024 МБ |
|
Аппаратное шифрование
| AES 256bit |
|
Скорость последовательного чтения
| 3 200 Мбайт/с |
|
Скорость последовательной записи
| 1 900 Мбайт/с |
|
Средняя скорость случайного чтения
| 380 000 IOps |
|
Средняя скорость случайной записи
| 360 000 IOps |
|
Энергопотребление (чтение/запись)
| 5 Вт |
|
Энергопотребление (ожидание)
| 1.2 Вт |
|
Время наработки на отказ (МТBF)
| 1 500 000 ч |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.