1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.1), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1900 МБайт/с, случайный доступ: 380000/360000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.1), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1900 МБайт/с, случайный доступ: 380000/360000 IOps, DRAM-буфер