1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/2500 МБайт/с, случайный доступ: 500000/450000 IOps
Мы каждый день анализируем цены и помечаем все выгодные предложения за последние 60 дней
Характеристики
Общая информация
| |
| Дата выхода на рынок | 2018 г. |
Основные
| |
| Объём | 1 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Версия NVMe | 1.3 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 600 TBW |
Технические характеристики
| |
| DRAM-буфер | |
| Объем DRAM-буфера | 1024 МБ |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 3 400 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 2 500 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 500 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 450 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 6 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.05 Вт (L1.2 mode) |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
| Охлаждение | |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.