250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/1500 МБайт/с, случайный доступ: 200000/350000 IOps
Мы каждый день анализируем цены и помечаем все выгодные предложения за последние 60 дней
Характеристики
Общая информация
| |
Дата выхода на рынок | 2018 г. |
Основные
| |
Объём | 250 ГБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Версия NVMe | 1.3 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND (64-слойная 256-Гбит) |
Контроллер | Samsung Phoenix |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Ресурс записи | 150 TBW |
Технические характеристики
| |
DRAM-буфер | |
Объем DRAM-буфера | 512 МБ |
Аппаратное шифрование | AES 256bit |
Скорость последовательного чтения | 3 400 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 1 500 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения | 200 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 350 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 4.2 Вт (запись, чтение - 5,4 Вт) |
Энергопотребление (ожидание) | 0.03 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
Охлаждение |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.