250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/1500 МБайт/с, случайный доступ: 200000/350000 IOps, DRAM-буфер
250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/1500 МБайт/с, случайный доступ: 200000/350000 IOps, DRAM-буфер